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Modulo IGBT KES650H12A8L-2M compatto e leggero per impianti a risparmio di spazio

Modulo IGBT KES650H12A8L-2M compatto e leggero per impianti a risparmio di spazio

Marchio:	Krunter
Numero di modello:	KES650H12A8L-2M

Informazione dettagliata

Descrizione di prodotto

Informazione dettagliata

Moisture Sensitive:

Output Current:

Dimensions:

25mm x 50mm x 10mm

Close:

No Shutdown

Maximum Operating Temperature:

150°C

Input Range:

4.5V~5.5V

Collector-Emitter Voltage:

Number Of Pins:

Lead Times:

Immediately Shipment

Contact Resistance:

Thermal Resistance:

0.5°C/W

Peak Repetitive Reverse:

100-1600V

Application:

Power Conversion

Qualification:

Industrial

Organization:

512 M x 16

Evidenziare:

Modulo IGBT compatto

Modulo IGBT a risparmio di spazio

Modulo IGBT leggero

Descrizione di prodotto

KES650H12A8L-2M

Alta densità di potenza con tecnologia IGBT Trench FS
VCE basso (sat)
Funzionamento parallelo abilitato; progettazione simmetrica e coefficiente di temperatura positivo
Progettazione a bassa induttanza
Sensore di temperatura NTC integrato
Piattaforma di base isolata con tecnologia DBC
Progettazione compatta e robusta con terminali stampati

Diagramma del circuito interno

Parametri delle specifiche

TIPO	VBR Volti	VGS(th) Volti	Identificazione Amperi	RDS (acceso) mΩ	IDSS UA	TJ	Rth ((JC) K/W	Ptot Fabbricazione	Circuito	Pacco	Tecnologia

KES400H12A8L-2M	1200 V	3.2V	400A	3.7mΩ	200 uA	175°C	0.064	2230W	2 confezioni	ECDUAL3	SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M	1200 V	3.2V	650A	2.2mΩ	200 uA	175°C	0.064	3200W	2 confezioni		SIC MOSFET

Modulo IGBT KES650H12A8L-2M compatto e leggero per impianti a risparmio di spazio 1

Etichette:

Modulo del transistor

Modulo di IGBT

Modulo di alimentazione IGBT

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Modulo IGBT KES650H12A8L-2M compatto e leggero per impianti a risparmio di spazio

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KES650H12A8L-2M

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Parametri delle specifiche

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