Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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Dettagli dei prodotti

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Modulo di IGBT
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KHG75H12E4L Modulo IGBT ad alta tensione ad alta frequenza 8MHz Distribuzione di potenza nelle industrie

KHG75H12E4L Modulo IGBT ad alta tensione ad alta frequenza 8MHz Distribuzione di potenza nelle industrie

Marchio: Krunter
Numero di modello: KHG75H12E4L
MOQ: 1
Prezzo: Negoziabile
Condizioni di pagamento: Negoziabile
Capacità di approvvigionamento: Negoziabile
Informazione dettagliata
Luogo di origine:
Cina
Product:
IGBT Module
Output Type:
Rail to Rail
Date Code:
Newest code
Maximum Clock Frequency:
8 MHz
Maximum Junction Temperature:
175°C
Input Voltage Range:
4.5 V to 18 V
Warranty:
365days
Stock:
100PCS
Operating Temperature:
-40 to +125
Configuration:
6-Pack
Maximum Collector Current:
600A
Factory Packing Quantity:
24
Moisture Sensitive:
YES
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.8V
Feature:
High current
Imballaggi particolari:
Imballaggio standard
Capacità di alimentazione:
Negoziabile
Evidenziare:

Modulo IGBT KHG75H12E4L

,

Modulo IGBT da 8 MHz

,

Modulo di alimentazione igbt ad alta frequenza

Descrizione di prodotto

Modulo IGBT KHG75H12E4L per la distribuzione di energia ad alta tensione e ad alta frequenza nell'industria

KHG75H12E4L Modulo IGBT ad alta tensione ad alta frequenza 8MHz Distribuzione di potenza nelle industrie 0

KHG75H12E4L

  • Tecnologia NPT IGBT

  • Capacità di cortocircuito di 10 μs

  • Basse perdite di cambio

  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo

  • RBSOA quadrato

  • Cassa a bassa induttanza

  • FWD di recupero inverso veloce e morbido anti-parallelo

  • Piattaforma di base in rame isolato con tecnologia DBC

 
 

 

Applicazione

Diagramma del circuito interno

  • Macchine per saldatura

  • Invertitori

  • Riscaldamento per induzione

  • Macchine di taglio a plasma

KHG75H12E4L Modulo IGBT ad alta tensione ad alta frequenza 8MHz Distribuzione di potenza nelle industrie 1

Parametri delle specifiche

TIPO VCES
Volti
VGES
Volti
IC
Amperi
VCE(SAT)
Volti
(EON+EOFF)
MJ
TJ Ptot
Fabbricazione
Circuito Pacco Tecnologia
 
KWG50F12E4T 1200 V ± 20 50A 2.90V 60,9 mJ 150°C 408 4 confezioni 62 mm ((T) Trattato di non proliferazione
KWG75F12E4T 1200 V ± 20 75A 2.90V 110,8 mJ 150°C 595 4 confezioni Trattato di non proliferazione

KHG75H12E4L Modulo IGBT ad alta tensione ad alta frequenza 8MHz Distribuzione di potenza nelle industrie 2