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Modulo IGBT a bassa VCE sat e cortocircuito di corrente per e a basse perdite di commutazione KUG100H12S4L

Modulo IGBT a bassa VCE sat e cortocircuito di corrente per e a basse perdite di commutazione KUG100H12S4L

Marchio:	Krunter
Numero di modello:	KUG100H12S4L

Informazione dettagliata

Descrizione di prodotto

Informazione dettagliata

Place of Origin:

China

Technology:

Collector-Emitter Saturation Voltage:

Collector-Emitter Capacitance:

100pF

Installation Style:

SMD/SMT

Product:

Diode Power Modules

Manufacturer:

Warranty:

365days

Power Dissipation:

Subcategory:

Interface ICs

Lead Times:

Immediately Shipment

Voltage Rating:

1200V

Dimensions:

106.4*61.4*30.5mm

Moisture Sensitive:

Evidenziare:

Modulo IGBT di corrente a corto circuito

Modulo IGBT a basso VCE

Modulo IGBT a basse perdite di commutazione

Descrizione di prodotto

VCE basso (sat)
Corrente di cortocircuito di 10 μs
Basse perdite di passaggio
Coefficiente di temperatura VCE (sat) positivo
Diodi a ruote libere con bassa caduta di tensione anteriore e recupero morbido
Confezione standard industriale con piastra di rame

Diagramma del circuito interno

Parametri delle specifiche

TIPO	VCES	VGES	IC	VCE(SAT)	(EON+EOFF)	TJ	Ptot	Circuito	Pacco	Tecnologia
TIPO	Volti	Volti	Amperi	Volti	MJ	TJ	Fabbricazione	Circuito	Pacco	Tecnologia
KUG40H12S4L	1200 V	± 20	40A	2.80V	7.2 mJ	150°C	250 W	2 confezioni	34 mm	Trattato di non proliferazione
KUG50H12S4L	1200 V	± 20	50A	2.80V	7.2 mJ	150°C	285W	2 confezioni
KUG75H12S4L	1200 V	± 20	75A	2.80V	100,6 mJ	150°C	395W	2 confezioni
KUG100H12S4L	1200 V	± 20	100A	3.10V	130,4 mJ	150°C	555W	2 confezioni
KUG150H12S4L	1200 V	± 20	150A	2.80V	17.0 mJ	150°C	790W	2 confezioni
KUG40H12E4L	1200 V	± 20	40A	2.10V	80,8 mJ	175°C	250 W	2 confezioni		FS in fossa
KUG50H12E4L	1200 V	± 30	50A	1.65V	10.1 mJ	175°C	285W	2 confezioni
KUG75H12E4L	1200 V	± 30	75A	1.65V	18.0 mJ	175°C	395W	2 confezioni
KUG100H12E4L	1200 V	± 30	100A	1.65V	240,8 mJ	175°C	555W	2 confezioni
KUG40H12W4L	1200 V	± 20	40A	2.10V	80,4 mJ	175°C	250 W	2 confezioni		Trincea veloce
KUG50H12W4L	1200 V	± 20	50A	2.25V	90,4 mJ	175°C	285W	2 confezioni
KUG75H12W4L	1200 V	± 20	75A	2.00V	14.0 mJ	175°C	395W	2 confezioni
KUG100H12W4L	1200 V	± 20	100A	1.90V	19.5 mJ	175°C	555W	2 confezioni
KUG150H12W4L	1200 V	± 20	150A	1.90V	270,8 mJ	175°C	790W	2 confezioni

Modulo IGBT a bassa VCE sat e cortocircuito di corrente per e a basse perdite di commutazione KUG100H12S4L 1

Etichette:

Macchine per la lavorazione CNC

BGA Test Socket Housing Machining

presa di prova

Socket di prova per portatore azimut

Socket di prova personalizzato

Soccetto di prova Loranger

Iniezione di modellatura

Formaggio

Iniezione

Materiale di plastica

Componente elettronico

Elettrolisi del piombo

Condensatore di elettroli­si a forma di corno

Condensatore elettrolitico a montaggio superficiale

Elettrolizzatore di ossidi solidi

Pin

PIN POGO

Sonde

Pin di piegatura

Pin del contenitore

Modulo di IGBT

Mini microscopio

Macchine per la lavorazione CNC

BGA Test Socket Housing Machining

presa di prova

Socket di prova per portatore azimut

Socket di prova personalizzato

Soccetto di prova Loranger

Iniezione di modellatura

Formaggio

Iniezione

Materiale di plastica

Componente elettronico

Elettrolisi del piombo

Condensatore di elettroli­si a forma di corno

Condensatore elettrolitico a montaggio superficiale

Elettrolizzatore di ossidi solidi

Pin

PIN POGO

Sonde

Pin di piegatura

Pin del contenitore

Modulo di IGBT

Mini microscopio

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Modulo IGBT a bassa VCE sat e cortocircuito di corrente per e a basse perdite di commutazione KUG100H12S4L

Modulo IGBT a bassa VCE sat e cortocircuito di corrente per e a basse perdite di commutazione KUG100H12S4L

Modulo IGBT di corrente a corto circuito

Modulo IGBT a basso VCE

Modulo IGBT a basse perdite di commutazione

Diagramma del circuito interno

Parametri delle specifiche

Condensatore di elettrolisi a forma di corno

Condensatore di elettrolisi a forma di corno